光刻胶作为半导体制造的核心基础材料，其性能直接关联芯片性能指标与制造良率水平。近年来，中国半导体产业的快速崛起为光刻胶行业创造发展契机，但产业升级进程中仍面临

多重挑战，尤其在高端光刻胶领域与国际先进水平存在显著技术代差。

　　中国光刻胶发展趋势——半导体制造的核心基础材料

　　中国光刻胶产业链呈现上游原料集中化、中游技术分层化、下游需求驱动化的格局：上游关键原材料70%以上依赖进口供应，中游企业已实现KrF光刻胶的规模化生产，但ArF光刻胶仍处于

客户工艺验证阶段；下游晶圆制造产能扩张催生需求激增，而长周期的供应商认证机制形成”技术壁垒-市场准入”的双向制约。

　　尽管存在技术壁垒，中国企业在研发创新层面已取得阶段性突破。某企业与专业科研机构合作的ArF干法光刻胶项目，已完成28nm制程的工艺验证，预计2025年进入主流晶圆厂供应链体

系；另一行业领先企业依托国家科技专项，建成中国首条EUV光刻胶中试生产线，计划2026年完成全流程工艺验证。这些技术突破为高端光刻胶的产业化奠定了关键基础。

　　展望未来，中国光刻胶市场将形成差异化发展格局：在28nm以上成熟制程领域，有望实现较高水平的自主供应；企业将加强与设备厂商的联合研发，开发适配先进制程的定制化材料体系。

随着重大技术攻关项目的推进，预计2025年中国光刻胶市场需求缺口将扩大至百亿元级别。政策层面，国家新材料专项规划已将光刻胶列入重点攻关清单，并加大对产业链关键环节的资金扶

持力度。通过技术创新迭代、产业协同发展和政策精准赋能，中国光刻胶行业有望突破高端领域瓶颈，为半导体产业自主可控发展提供核心材料支撑。

　　超声波喷涂技术用于半导体光刻胶涂层。与传统的旋涂和浸涂工艺相比，它具有均匀性高、微观结构良好的封装性和可控制的涂覆面积大小等优点。在过去的十年中，已经充分证明了采

用超声喷涂技术的3D微结构表面光刻胶涂层，所制备的光刻胶涂层在微观结构包裹性和均匀性方面都明显高于传统的旋涂。

　　超声波喷涂系统可以精确控制流量，涂布速度和沉积量。低速喷涂成形将雾化喷涂定义为精确且可控制的模式，以在产生非常薄且均匀的涂层时避免过度喷涂。超声喷涂系统可以将厚

度控制在亚微米到100微米以上，并且可以涂覆任何形状或尺寸。

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